- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Напряжение Коллектор-эмиттер ( VCES ) 1800 V
Напряжение затвор-эмиттер ( VGES ) ±25 V
Ток коллектора (постоянного тока) ( IC ) 40 A
Ток коллектора (1 мс) ( ICP ) 80 A
Диод прямой ток (DC) ( IF ) 20 A
Диод прямой ток (100 мкс) ( IFP ) 80 A
Рассеиваемая мощность коллектора ( PC ) 375 W
Температура перехода ( Tj ) 175 °C
Температура хранения ( Tstg ) -55 to 175 °C
Крутящий момент (T c = 25 ° C) ( TOR ) 0.8 N m
Входная емкость ( Cies ) 4500 pF
Время переключения (время нарастания) ( tr ) 0.4 µs
Время переключения (время включения) ( ton ) 0.55 µs
Время переключения (время падения) ( tf ) 0.15 … 0.35 µs
Время переключения (время выключения) ( toff ) 0.42 µs
Обратное время восстановления ( trr ) 1.0 µs
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Toshiba (TOS) |
Корпус: | TO-3P(N) (2-16C1A) |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.