Транзистор IGBT RJH65T14
Напряжение коллектор-эмиттер VCES 650 В
Напряжение затвор-эмиттер ВГЭС 30 В
Ток коллектора Tc = 25 C  IC 100 A
                            Tc = 100 C IC 50 A
Пиковый ток коллектора iC (пик)   180 A
Коллектор на эмиттерный диод Прямой токTc = 25C IDF 40 A
                                                                           Tc = 100C IDF 20 A
Прямой пиковый ток между коллектором и эмиттерным диодом iDF (пик) Примечание2 100 A
Коллекторное рассеивание ПК 250 Вт
Тепловой импеданс перехода к корпусу (IGBT) -j-c Note3 0,6 C / Вт
Тепловой импеданс перехода к корпусу (диод) j-cd Note3 1,33 C / Вт
Температура перехода Tj Note4 175 ° C
Температура хранения Tstg от –55 до +150 ° C
Применение: индукционный нагрев, микроволновая печь
Оптимизирован для текущего резонансного применения
Низкое напряжение насыщения от коллектора к эмиттеру
VCE (насыщ.) = 1,45 В тип. (при IC = 50 А, VGE = 15 В, Ta = 25 C)
Встроенный диод быстрого восстановления в одном корпусе
Корпус TO-247-3