- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 55 A
Непрерывный коллекторный ток при 100C: 25 A
Pd - рассеивание мощности: 180 W
Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 100 нА
Cies Входная емкость 2900 пФ
Выходная емкость 155 пФ
Cres Обратная передаточная емкость 30 пФ
tr(Voff) Время нарастания напряжения в выключенном состоянии 102 нс
td(off) Время задержки выключения 284 нс
tf Текущее время спада 180 нс
tr(Voff) Время нарастания напряжения в выключенном состоянии 200 нс
td(off) Время задержки выключения 424 нс
tf Текущее время спада 316 нс
Рабочая температура: - 55 C ...+ 150 C
Непрерывный коллекторный ток: 55 A
Корпус TO-247
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-247-3 |
Макс. ток коллектора TC = 25°C,A: | 55 |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 180 |
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO, макс.: | 1300 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.