- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технология: Si
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки: 4 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 3 V
Qg - заряд затвора: 26 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Pd - рассеивание мощности: 70 W
Канальный режим: Enhancement
Коммерческое обозначение: SuperMESH
Конфигурация: Single
Время спада: 16.5 ns
Время нарастания: 9.5 ns
Типичное время задержки выключения: 29 ns
Типичное время задержки при включении: 12 ns
Корпус TO-220-3-FP
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3-FP |
Количество каналов:: | 1 Channel |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 70 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 600 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 4 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.