- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V
Id - непрерывный ток утечки t TC = 25 °C: 30 A
TC = 100 °C: 18,9A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 120 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 5 V
Qg - заряд затвора: 76 nC
Pd - рассеивание мощности: 313 W
Время спада: 19 ns
Время нарастания: 15 ns
Типичное время задержки выключения: 13 ns
Типичное время задержки при включении: 28 ns
рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус TO-247-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-247-3 |
Количество каналов:: | 1 Channel |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 313 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 500 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 30 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.