- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток:300 V
Id - непрерывный ток утечки:59 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:56 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток:30 V
Время спада:200 ns
Время нарастания:575 ns
Типичное время задержки выключения:120 ns
Типичное время задержки при включении:140 ns
Входная емкость 3590...4670 пФ
Рабочая температура:- 55 C...+ 150 C
Pd - рассеивание мощности:500 W
Корпус TO-3P-3L
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation(ONS) |
Корпус: | TO-3P-3L |
Количество каналов:: | 1 Channel |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 500 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 300 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 59 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.