- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Напряжение сток-исток VDSS 55 В
Непрерывный ток утечки ID 65A
Рассеиваемая мощность PD 170 Вт
Коэффициент снижения характеристик выше 25 oC 1,14 Вт/oC
Напряжение затвор-исток VGS ± 20 В
Энергия лавины одиночного импульса WAS L=1 мГн 1200 мДж Пиковое восстановление диода dv/dt 5,0 В/нс
Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии RDS(ON) при VGS=10В, ID=40A : 13...16 Ом
Пороговое напряжение затвора, рисунок VGS(TH) G VDS=VGS, ID=250 мкА:. 2,0 -- 4,0 В
Диапазон рабочих температур перехода и хранения от -55 до 175°C
Корпус TO-220-3(TO-220AB)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | КНР |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Количество каналов:: | 1 Channel |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 170 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 55 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 65 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.