- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V
Id - непрерывный ток утечки: 35 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 22 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Конфигурация: Single
Время спада: 25 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 25 S
Pd - рассеивание мощности: 70 W
Время нарастания: 105 ns
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения: 65 ns
Типичное время задержки при включении: 30 ns
Корпус: TO-252-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | DPAK/TO-252-3 |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 70 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 60 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 35 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.